山東烈火激光測(cè)試技術(shù)
激光三角測(cè)量術(shù)
微凸點(diǎn)晶圓的出現(xiàn)使測(cè)量和檢測(cè)技術(shù)面臨著巨大的挑戰(zhàn)，對(duì)該技術(shù)的最基本要求是任一可行的檢測(cè)技術(shù)必須能達(dá)到測(cè)量微凸點(diǎn)特征尺寸所需的分辨率和靈敏度。在50m節(jié)距上制作25m凸點(diǎn)的芯片技術(shù)，目前正在開(kāi)發(fā)中，更小凸點(diǎn)直徑和更節(jié)距的技術(shù)也在發(fā)展中。另外，當(dāng)單個(gè)芯片上凸點(diǎn)數(shù)量超過(guò)10000個(gè)時(shí)，晶圓檢測(cè)系統(tǒng)必須有能力來(lái)處理凸點(diǎn)數(shù)迅速增加的芯片和晶圓。分析軟件和計(jì)算機(jī)硬件必須擁有足夠高的性能來(lái)存儲(chǔ)和處理每個(gè)晶圓上所存在的數(shù)百萬(wàn)個(gè)凸點(diǎn)的位置和形貌數(shù)據(jù)。
在激光三角檢測(cè)術(shù)中，用一精細(xì)聚焦的激光束來(lái)掃描圓片表面，光學(xué)系統(tǒng)將反射的激光聚焦到探測(cè)器。采用3D激光三角檢測(cè)術(shù)來(lái)檢測(cè)微凸點(diǎn)的形貌時(shí)，在精度、速度和可檢測(cè)性等方面，它具有明顯的優(yōu)勢(shì)。
顆粒測(cè)試
顆料控制是晶片加工過(guò)程、器件制造過(guò)程中重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，而顆粒的監(jiān)測(cè)也就顯得至關(guān)重要。顆粒測(cè)試設(shè)備的工作原理有兩種，一種為光散射法；另一種為消光法。
對(duì)于懸浮于氣體中的顆粒，通常采用光散射法進(jìn)行測(cè)試，同時(shí)某些廠家利用這種工作原理生產(chǎn)了測(cè)試晶片表面顆粒的設(shè)備；而對(duì)于液體中的顆粒，這兩種方法均適用。
激光脈沖退火(LSA)技術(shù)
該技術(shù)通過(guò)一長(zhǎng)波激光器產(chǎn)生的微細(xì)激光束掃描硅片表面，在一微秒甚至更短的作用時(shí)問(wèn)內(nèi)產(chǎn)生～個(gè)小尺寸的局域熱點(diǎn)。由于只有上表面的薄層被加熱，硅片的整體依然保持低溫，使得此表面層的降溫速率幾乎和它的升溫速率一樣快。從固體可溶性的角度考慮，高峰值溫度能夠激活更多的摻雜原子，此外正如65nm及以下工藝所求的那樣，較短的作用時(shí)間可以使摻雜原子的擴(kuò)散降到最低。退火處理的作用范圍可以限制在硅片上的特定區(qū)域而不會(huì)影響到周?chē)课弧?/FONT>
該技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于多晶硅柵極的退火，在減少多晶硅的耗盡效應(yīng)方面取得了顯著的效果。K.Adachi等將閃光燈退火和激光脈沖退火處理的MOS管的Ion/Ioff進(jìn)行了比較，在pMOS-FET和nMOSFET中，采用激光脈沖退火處理的器件的漏極電流要大10%，器件性能的增強(qiáng)可以直接歸因于柵電極耗盡效應(yīng)的改善和寄生電阻的減小 | 
